| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SPW35N60C3 |
TO-247-3 | Infineon Technologies | 6758 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SPW35N60C3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247 包装数量：240 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：650V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：34.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 21.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 1.9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 25V 功率 - 最大值：313W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 接线座 - 隔板块0386309403 存储器AT29LV512-12JI FFC，FPC（扁XF2L-3035-1A 圆形CA07A18-9PB 时钟/计时 - 实DS1672S-3 TR Card EdgeEBA44DCBD 功率166G12 铝电容器EEF-CD0J680ER 矩形C3BBS-4018M-ND 接口 - 电信SI3216-B-FM |
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